Stm: accordo con Macom per la tecnologia Gan-on-silicon

Macom Technology Solutions, azienda leader nei prodotti a semiconduttori ad alte prestazioni RF, microonde, onde millimetriche e lightwave, e STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell’elettronica, hanno annunciato un accordo per lo sviluppo di fette di nitruro di gallio (GaN) su silicio che saranno prodotti da Stm e utilizzati da Macom in numerose applicazioni RF.

Oltre ad ampliare le fonti di approvvigionamento di Macom, l’accordo, informa una nota diffusa nella serata di ieri, assegna a Stm il diritto di produrre e commercializzare propri prodotti con tecnologia GaN-on-Silicon in mercati RF al di fuori dei settori della telefonia cellulare, delle stazioni base wireless e delle relative applicazioni per infrastrutture di telecomunicazione commerciali.

Grazie a questo accordo, Macom avrà accesso a una più ampia capacità produttiva per le fette di silicio e a una struttura di costi migliore, che potrebbe permettere di sostituire gli attuali LDMOS di silicio e di accelerare l’adozione della tecnologia GaN-on-Silicon nei mercati tradizionalmente più ampi. Stm e Macom collaborano già da diversi anni per rafforzare la produzione GaN-on-Silicon negli impianti di fette CMOS di ST. In base alle tempistiche previste attualmente, la produzione di campioni da parte di ST dovrebbe iniziare nel 2018.

com/fch

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